本文摘要：近日，法国原子能委员会电子与信息技术实验室消息称之为，该实验室已研发出有合适大规模生产的晶圆生产工艺生产的III-V族/硅混合激光器，并在研究小组会议上展开展出。研究人员在法国格勒诺布尔的电子和信息技术实验室的无尘室中展开混合III-V族/硅的激光生产工艺照片来源：电子和信息技术实验室据理解，利用新型硅光子工艺新的研发的产于对系统式（DFB）激光器，融合了大规模集成电路技术，该分布式对系统（DFB）发射器的仅次于输出功率为4mW，其边模诱导比（SMSR）为50分贝。

近日，法国原子能委员会电子与信息技术实验室消息称之为，该实验室已研发出有合适大规模生产的晶圆生产工艺生产的III-V族/硅混合激光器，并在研究小组会议上展开展出。研究人员在法国格勒诺布尔的电子和信息技术实验室的无尘室中展开混合III-V族/硅的激光生产工艺照片来源：电子和信息技术实验室据理解，利用新型硅光子工艺新的研发的产于对系统式（DFB）激光器，融合了大规模集成电路技术，该分布式对系统（DFB）发射器的仅次于输出功率为4mW，其边模诱导比（SMSR）为50分贝。在室温下展开的倒数电动测试中，该激光器件在1300nm的波长处产生高达4mW的输出功率，其中边模诱导之比50dB指出了较好的光谱纯度。

虽然输出功率随产生的驱动电流的减少而变化，但激光阈值电流在50mA至65mA之间都是平稳的。该混合激光器首次将几乎CMOS相容的200mm晶圆构建到混合III-V/Si产于对系统式激光器中，实验使用创意的激光电触点方法，没用于一体化挤压。

研究团队用于了局部硅变薄，在III-V材料增益部分下方生产了500nm薄的硅层。在用于浅紫外（DUV）平版印刷法术将布拉格光栅图案化到增益区域下方的加厚硅波导区域中之后，支撑混合装置的关键元件的单个绝缘体上硅（SOI）和磷化铟（InP）与氧等离子体表面活化融合。本次利用晶圆生产工艺III-V族/硅混合激光器让激光器技术构建大规模生产沦为有可能。未来，硅光技术应用于将更进一步商用，不致牵涉到优化设计的实行，还包括用于非晶硅来提升发射功率水平，两个金属层的布线也将被用来提升当前的驱动能力，减少等效集成电路电阻等等方法。

这种新工艺一旦研发顺利，将在数据中心、高性能计算出来，甚至是未来安全性通信中的应用于将有可能十分普遍。

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